Intel 聯手軟銀打造「ZAM」記憶體，AI 晶片效能將飆升！

Intel 最初是以記憶體起家，40 多年前因面臨日本廠商的強力競爭，才不得不轉向 CPU 的開發與生產。沒想到現在他們決定重操舊業，攜手軟銀共同開發下一代記憶體 ZAM。

根據雙方公告，Intel 將聯合軟銀旗下的子公司 SAIMEMORY，共同推動下一代記憶體技術的商業化。這項技術將基於 Intel 下一代記憶體鍵合計畫 NGDB 所驗證的新一代記憶體基礎技術與知識開發而成，同時也獲得美國能源部旗下的桑迪亞、勞倫斯利佛摩與洛斯阿拉莫斯三大國家實驗室的 AMT 先進儲存技術計畫支援。

雙方的目標是在截至 2028 年 3 月 31 日的 2027 會計年度中，開發出名為 Z-Angle Memory（簡稱 ZAM）的記憶體原型，並計畫在 2029 會計年度（截至 2030 年 3 月 31 日）實現量產，這意味著還需要等待四年。

目前 ZAM 記憶體的具體規格尚未公布，但這代記憶體鎖定 AI 與高效能運算市場，需要大容量、高頻寬，不僅效能強勁且功耗低，以滿足 AI 資料中心訓練與推論的需求。

根據現有技術推測，ZAM 記憶體應該是 HBM 技術的一種低成本實現方案，但功耗更低，容量也更大。

說到這裡，Intel 前陣子放棄的 Optane 記憶體（傲騰記憶體）顯然非常可惜。它的效能介於記憶體與快閃記憶體之間，然而先前因為成本較高，導致 Intel 與美光都放棄了這項技術。

不過，在現在的 AI 時代，Optane 這種記憶體與快閃記憶體結合的技術反而有了用武之地。現在的 ZAM 記憶體說不定就是 Optane 的進化版。